TPS1120D（TI，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：TPS1120D

制造商：TI

描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：2 个 P 沟道（双）

FET功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：15V

25°C时电流-连续漏极(Id)：1.17A

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.45nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

功率-最大值：840mW

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

TPS1120D，TI产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TPS1120D

原始制造厂商：TI

技术标准参数：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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