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零件图片(仅供参考)
CSD87503Q3ET
规格参数
  • 制造商产品型号:CSD87503Q3ET
  • 制造商:TI
  • 描述:30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:NexFET?
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N 沟道(双)共源
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):17.4nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1020pF @ 15V
  • 功率-最大值:15.6W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-PowerVDFN
  • CSD87503Q3ET,TI产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:CSD87503Q3ET
  • 原始制造厂商:TI
  • 技术标准参数:30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询CSD87503Q3ET的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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