CSD87334Q3DT（TI，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：CSD87334Q3DT

制造商：TI

描述：MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：NexFET?

零件状态：有源

FET类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：30V

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 毫欧 @ 12A，8V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.3nC @ 4.5V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1260pF @ 15V

功率-最大值：6W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerTDFN

CSD87334Q3DT，TI产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：CSD87334Q3DT

原始制造厂商：TI

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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