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规格参数
制造商产品型号：CSD25301W1015制造商：TI描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.2A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 1A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.5nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：270pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：6-DSBGA（1x1.5）CSD25301W1015，TI产品一站式供应商。
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