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零件图片（仅供参考）
规格参数
制造商产品型号：CSD23203WT制造商：TI描述：MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：8V25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19.4 毫欧 @ 1.5A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.3nC @ 4.5VVgs（最大值）：-6V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：914pF @ 4VFET功能：-功率耗散（最大值）：750mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：6-DSBGACSD23203WT，TI产品一站式供应商。
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