CSD19536KTT（TI，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：DDPAK/TO-263-3）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：CSD19536KTT

制造商：TI

描述：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：NexFET?

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V

25°C时电流-连续漏极(Id)：200A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 100A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：153nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12000pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：DDPAK/TO-263-3

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基本参数：

电子零件型号：CSD19536KTT

原始制造厂商：TI

技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询CSD19536KTT的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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