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规格参数
制造商产品型号：CSD18532NQ5B制造商：TI描述：MOSFET N-CH 60V 22A/100A 8VSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：22A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.4 毫欧 @ 25A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：64nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5340pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.2W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）CSD18532NQ5B，TI产品一站式供应商。
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